Skip to Store Area:

www.adreselektronik.com

MRF151G RF Power Field Effect Transistor

Double click on above image to view full picture

Uzaklaştır
Yaklaştır

Diğer Görünümler

MRF151G RF Power Field Effect Transistor

Arkadaşına Tavsiye Et

Bu ürünü ilk yorumlayan siz olun

Stok Durumu : Stokta yok

Normal Fiyat : 249,00 $

Özel Fiyat: 203,00 $

Hızlı Gözat

N-CHANNEL BROADBAND RF POWER MOSFET


N–Channel Enhancement–Mode MOSFET
Designed for broadband commercial and military applications at frequencies
to 175 MHz. The high power, high gain and broadband performance of this
device makes possible solid state transmitters for FM broadcast or TV channel
frequency bands.
• Guaranteed Performance at 175 MHz, 50 V:
Output Power — 300 W
Gain — 14 dB (16 dB Typ)
Efficiency — 50%
• Low Thermal Resistance — 0.35°C/W
• Ruggedness Tested at Rated Output Power
• Nitride Passivated Die for Enhanced Reliability
Etiketlerinizi Ekleyin :
Etiket Ekle
Etiketleri ayırmak için boşluk kullanınız. Deyim tipindeki etiketler için tekli tırnak (') kullanınız.